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技术需求及信息库

基本信息

  • R-0099 SiC功率模块的银烧结技术

  • 其它

  • 芯成果

  • 范老师

  • fanxiaoxiao@nicu.cn

技术简介

  • 需求概况:

    第三代半导体碳化硅MOSFET器件的高温封装材料体系建设、先进互连技术开发。第三代半导体器件具有高温特性,甚至能在400℃以上正常工作,但传统的封装材料在200℃左右就会性能退化,严重影响可靠性,开发高温高性能的封装材料及先进工艺是当下需要解决的技术难点。


    主要技术指标:

    1. 灌封绝缘材料耐温≥220℃;

    2. 焊浆料热导率≥200W\/(m·K)、剪切强度≥50MPa。


    需求应用范围及应用场景:


    主要用于电动汽车、光伏、特种电源等领域。国产化。



需求文件

申请文件

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