基本信息

• 成果名称：

  S-0012 半导体器件可靠性 (ESD、EMI) 设计

• 成果分类：

  其他

• 信息来源：

  芯成果

• 联系人：

  范老师

• 联系方式：

  fanxiaoxiao@nicu.cn

技术简介

• 成果概况：

        一、重点描述该成果可解决的问题、先进性及主要技术指标、配套条件；

        1、可解决的问题

        成果基于FinFET、LIGBT、LDMOS 技术，针对常规ESD 设计存在窗口大、电流泄放电阻大、二次 失效电流小等问题，提出小触发电压、大维持电压、高二次失效电流为主要特征的ESD 防护新结构，从一定程度上优化了ESD 防护设计各参数之间的折衷关系。电磁兼容(EMI) 方面，基于VDMOS  和 IGBT技术，提出了具有一定抗EMI 能力的新型VDMOS  和IGBT。

         2、主要技术指标

        基于FinFET 工艺技术，采用双Fin为基本ESD 防护设计单元，通过激发其中寄生的SCR, 使得该 SCR 成为低阻ESD 电流泄放通道，增加泄放电流密度，降低一定ESD 要求下所需的版图面积，减少面 积成本。其关键理论在于如何高效的触发和关断该SCR 电流泄放通道。

        由于LIGBT 和LDMOS 应用中存在高触发电压和低维持电压的缺点，通过引入新的电荷层和优 化ESD 电流泄放通道，在降低触发电压的同时提高维持电压，进而减小ESD 防护窗口。

        基于VDMOS 和IGBT 技术，通过引入新的体内电容，以提高VDMOS 和IGBT 电磁兼容能力。

         二、 应用范围及应用案例：

         FinFET 相关的ESD 技术可以应用于28nm 以下的FinFET工艺中。该技术兼顾了ESD 高效泄放 和低的面积成本，具有好的市场前景。

         LIGBT和LDMOS  ESD防护技术可以应用于功率集成电路和功率管理芯片中，具有较好的市场前景。

         抗EMI能力的VDMOS 和IGBT 可应用于对电磁兼容有较高要求的半导体功率模块中。该技术具 有较好的市场前景。

  
  

  
  
  

• 产权编号：

  ZL202210522548.7; ZL202210522431.9; ZL202110558693.6; ZL202010439394.6;ZL201910488660.1;ZL201910410173.3

• 产权类型：

  /

• 成熟度：

  小试阶段

• 合作意向：

  /

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