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研发成果及信息库

基本信息

  • S-0044第三代半导体材料高效低损复合磨削加工工艺

  • 其它

  • 芯成果

  • 范老师

技术简介

  • 成果概况:

         本项目针对 SiC,GaN 等第三代半导体材料开发了新的复合磨削加工工艺。将大幅提高第三代半导体器件制作效率、 降低第三代半导体器件相关费用。


    主要技术指标、配套条件


         SiC 及 GaN 材料属于典型的硬脆材料,目前加工工艺复杂且效率极低,相应的半导体器件应用受到很大限制。新的高效低损复合加工工艺加工效率将远超传统纯机械研磨、抛光,表面/亚表面质量可达到精 抛甚至化学机械抛光工艺水平。


    应用范围及应用案例


        本项目希望能与美国 Cree 公司、II -VI 公司以及德国 SiCCrystal AG公司等第三代半导体衬底企业合作,加工半导体器件将面向国内复杂极端环境下的军用电子战武器、雷达以及民用有线电视、手机信号塔、蜂窝基础设施等商业领域。


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