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研发成果及信息库

基本信息

  • S-0061ZD芯片

  • 射频芯片

  • 芯成果

  • 范老师

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技术简介

  • 成果概况:

         ZD芯片采用65nm CMOS工艺,集成射频放大与衰减、变频链路、中频链路、本振链路等多个功能模块,集成宽带变频电路中除滤波器外的所有电路。

         芯片应用于二次变频超外差射频链路,也可单独使用芯片上的部分电路,利用半导体集成化优势取代传统mmic组成的板级电路;使用时用户只需配置滤波器、程控芯片参数即可组成上下变频电路。


    主要技术指标、配套条件

         工作频段覆盖0.2~18GHZ,分段实现射频与中频信号间转换。三个频段0.2~2GHZ、2~6GHz和6~18GHz频段均采用二次变频方案,最终达到中频链路,中频支持400MHZ,1GHZ, 2GHZ,4GHz四种带宽选择。

       (1) 射频链路和中频链路独立可调衰减;

       (2) 不同射频频段对应不同的一中频频率、中频频率及带宽;

       (3) 收发分时工作;

       (4) 射频、本振、混频、中频电源可独立供电。


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